Обозначение | Заглавие на русском языке | Статус | Язык документа | Цена (с НДС 20%) в рублях |
|
Диски полупроводниковые. Определение закругления кромки
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Пластины полупроводниковые. Определение геометрических размеров. Часть 2. Определение закругления кромки
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Пластины полупроводниковые. Определение геометрических размеров. Определение отклонения от плоскостности полированных пластин методом многолучевой интерференции
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Диски полупроводниковые. Измерение диаметра и толщины
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Пластины полупроводниковые. Определение геометрических размеров. Часть 4. Определение диаметра, отклонений диаметра, диаметра, длины и высоты плоского среза
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Пластины полупроводниковые. Определение геометрических размеров.Часть 5. Термины, касающиеся отклонения от формы и плоскостности
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Пластины полупроводниковые монокристаллические, распиленные и подвергнутые доводке. Определение структуры поверхности
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Кремний для изготовления полупроводников. Определение дефектов и неоднородности кристаллов с помощью рентгенотопографии
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Полупроводники сложные Ш-V. Определение дефектов и неоднородности монокристаллов с помощью рентгенографии
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Пластины полупроводниковые гомогенные, легированные примесью. Бесконтактный метод определения удельного электрического сопротивления с помощью вихревых токов
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Материалы для полупроводниковой технологии. Определение типов и плотности дефектов в эпитаксиальных слоях кремния
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Материалы для полупроводниковой технологии. Бесконтактное измерение электрического поверхностного сопротивления полупроводниковых слоев методом вихревых токов
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Материалы для полупроводниковой технологии. Бесконтактное измерение удельного электрического сопротивления полуизолированных полупроводниковых дисков с емкостным зондом
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Материалы полупроводниковые. Определение содержания примесей методом абсорбции инфракрасного излучения. Часть 1. Углерод в арсениде галлия
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Материалы полупроводниковые. Определение содержания примесей методом абсорбции инфракрасного излучения. Часть 2. Бор в арсениде галлия
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Газы-носители и газы примесные, используемые при изготовлении полупроводников. Определение содержания воды в хлороводороде с помощью фосфорпентоксидной ячейки
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Испытание материалов, применяемых в полупроводниковой технологии. Определение содержания примесей в газах-носителях и легирующих газах. Часть 9. Определение содержания кислорода, азота, моноксида углерода, диоксида углерода и углеводородов С1 - С3 в газообразном гидрохлориде с помощью газовой хроматографии
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Кислота азотная для полупроводниковой технологии. Определение следов серебра, золота и меди спектрометрическим методом атомной абсорбции
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Испытание материалов, применяемых в технологии изготовления полупроводников. Определение содержания примесей в жидкостях. Часть 1. Определение содержания серебра (Ag), золота (Au), кальция (Ca), меди (Cu), железа (Fe), калия (K) и натрия (Na) в азотной кислоте методом атомно-абсорбционной спектрофотометрии
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
Страницы: 1 / 2 / 3 / 4 |